Alliance Memory ha anunciado dos nuevas DRAM síncronas móviles (MSDR) CMOS de alta velocidad diseñadas para prolongar la duración de la batería de los dispositivos móviles. Con un bajo consumo de energía de 1,8 V y muchas características de ahorro de energía, los 512 Mb AS4C32M16MS y AS4C16M32MS se ofrecen en paquetes FPBGA de 54 bolas de 8 mm × 9 mm y de 90 bolas de 8 mm × 13 mm.
Alliance Memory ha anunciado dos nuevas DRAM síncronas móviles (MSDR) CMOS de alta velocidad diseñadas para prolongar la duración de la batería de los dispositivos móviles. Con un bajo consumo de energía de 1,8 V y muchas características de ahorro de energía, los 512 Mb AS4C32M16MS y AS4C16M32MS se ofrecen en paquetes FPBGA de 54 bolas de 8 mm × 9 mm y de 90 bolas de 8 mm × 13 mm.
Los diseñadores de los dispositivos móviles actuales tienen la tarea de ofrecer más funciones en un espacio más pequeño y consumir menos energía. Para satisfacer esta demanda, el MSDR lanzado hoy cuenta con actualización automática compensada por temperatura (TCSR) para minimizar el consumo de energía a temperaturas ambiente más bajas. Además, la función de actualización automática de matriz parcial (PASR) reduce la energía al actualizar solo los datos críticos, y el modo Deep Power Down (DPD) proporciona un estado de energía ultra bajo cuando no se requiere retención de datos.
El presidente y director ejecutivo de Alliance Memory, David Bagby, dijo: “Esto hace que extender la vida útil de la batería sea más importante que nunca, y reducir el consumo promedio de energía de DRAM puede tener un impacto significativo. Ofrece estos ahorros de energía en un espacio compacto optimizado para su diseño”.
A medida que la cantidad de proveedores de SDRAM SDR móviles continúa disminuyendo, Alliance Memory brinda a los diseñadores una nueva fuente de DRAM de bajo consumo y los cortos plazos de entrega que necesitan. Los AS4C32M16MS y AS4C16M32MS de la compañía son alternativas confiables compatibles con clavijas para muchas soluciones similares en aplicaciones de sistemas de memoria de alto rendimiento y ancho de banda en dispositivos electrónicos de consumo portátiles, equipos médicos, redes y dispositivos de telecomunicaciones.
El AS4C32M16MS y el AS4C16M32MS están configurados internamente como 4 bancos x 8 Mbit x 16 y 4 bancos x 4 Mbit x 32 respectivamente, lo que proporciona un funcionamiento de alta velocidad a velocidades de reloj de hasta 166 MHz. Los dispositivos están disponibles en rangos de temperatura extendidos comerciales (-25 °C a +85 °C) e industriales (-40 °C a +85 °C) para una funcionalidad óptima en entornos hostiles.
El MSDR ofrece un funcionamiento totalmente síncrono y ofrece longitudes de ráfaga de lectura o escritura programables de 1, 2, 4 u 8. La función de precarga automática proporciona una precarga de hileras cronometrada que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Las funciones de actualización fáciles de usar incluyen actualización automática o actualización automática. Los dispositivos son libres de plomo (Pb) y halógenos.
Tabla de especificaciones del dispositivo:
numero de pieza | composición | velocidad de reloj | paquete | rango de temperatura |
AS4C32M16MS-7BCN | 32M x 16 bits | 133 MHz | FPBGA de 54 bolas | -25°C a +85°C |
AS4C32M16MS-7BCNTR* | 32M x 16 bits | 133 MHz | FPBGA de 54 bolas | -25°C a +85°C |
AS4C32M16MS-6BIN | 32M x 16 bits | 166 MHz | FPBGA de 54 bolas | -40°C a +85°C |
AS4C32M16MS-6BINTR* | 32M x 16 bits | 166 MHz | FPBGA de 54 bolas | -40°C a +85°C |
AS4C16M32MS-7BCN | 16M x 32 bits | 133 MHz | FPBGA de 90 bolas | -25°C a +85°C |
AS4C16M32MS-7BCNTR* | 16M x 32 bits | 133 MHz | FPBGA de 90 bolas | -25°C a +85°C |
AS4C16M32MS-6BIN | 16M x 32 bits | 166 MHz | FPBGA de 90 bolas | -40°C a +85°C |
AS4C16M32MS-6BINTR* | 16M x 32 bits | 166 MHz | FPBGA de 90 bolas | -40°C a +85°C |
Las muestras y las cantidades de producción del nuevo MSDR ya están disponibles, con plazos de entrega de producción de 8 semanas. El precio para el envío a EE. UU. comienza en $5 por pieza en cantidades de 1,000.