Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) anunció hoy un DrMOS integrado que ofrece MOSFET de canal n de lado alto y lado bajo optimizados para PWM, un IC de controlador MOSFET con todas las funciones y un diodo de arranque, todo en un solo bajo. lado anunció la solución. -Perfil, paquete PowerPAK® MLP 6×6 de 40 pines térmicamente mejorado.
MALVERN, Pensilvania — 9 de mayo de 2011 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) anunció hoy MOSFET de canal n de lado alto y lado bajo optimizados para PWM, circuitos integrados de controladores MOSFET con funciones completas y diodos de arranque. un único paquete de 40 pines PowerPAK® MLP 6×6 de bajo perfil y térmicamente mejorado. El nuevo SiC779CD cumple totalmente con la especificación DrMOS 4.0 para reguladores de voltaje (VR) en servidores y computadoras de escritorio, tarjetas gráficas, estaciones de trabajo, consolas de juegos y otros sistemas basados en CPU de alta potencia. El dispositivo permite frecuencias de operación superiores a 1 MHz y eficiencias superiores al 93%.
El controlador de compuerta avanzado IC del SiC779CD toma una única entrada PWM del controlador VR y la convierte en señales de impulsión de compuerta MOSFET de lado alto y lado bajo. La entrada PWM de 5 V del dispositivo es compatible con todos los controladores y está diseñada específicamente para admitir controladores con capacidad de salida PWM de 3 estados.
Este regulador opera en un rango de voltaje de entrada de 3 V a 16 V y entrega hasta 40 A de corriente de salida continua. El MOSFET de potencia integrado está optimizado para un voltaje de entrada nominal de 12 V y un rango de voltaje de salida de 0,8 V a 2,0 V. El SiC779CD también puede proporcionar una potencia muy alta con una salida de 5 V para aplicaciones ASIC.
El controlador IC del dispositivo incorpora circuitos para detectar automáticamente condiciones de carga ligera y habilitar automáticamente la operación en modo de omisión (SMOD) en sistemas diseñados para beneficiarse de una alta eficiencia de carga ligera. El control de tiempo muerto adaptativo mejora aún más la eficiencia en todos los puntos de carga. Las funciones de protección incluyen UVLO, protección contra disparos y una función de advertencia térmica que alerta al sistema en caso de temperatura excesiva en la unión.
La integración del controlador IC y los MOSFET de potencia en el SiC779CD reduce las pérdidas de potencia y mitiga los efectos de las impedancias parásitas asociadas con la implementación de etapas de potencia discretas de alta frecuencia. Los diseñadores pueden elegir la conmutación de alta frecuencia para mejorar la respuesta transitoria, ahorrar costos en los componentes del filtro de salida y lograr la mayor densidad de potencia posible en aplicaciones Vcore multifásicas.
Este dispositivo no contiene halógenos según se define en IEC 61249-2-21 y cumple con la directiva RoHS 2002/95/EC.
Las muestras de SiC779CD ya están disponibles. La producción en masa comenzará en junio de 2011, con plazos de entrega de 10 semanas para pedidos grandes.
Vishay Intertechnology, Inc. es una empresa Fortune 1000 que cotiza en la Bolsa de Valores de Nueva York (VSH) y es el productor más grande del mundo de semiconductores discretos (diodos, MOSFET, optoelectrónica infrarroja) y componentes electrónicos pasivos (resistencias, inductores, capacitores). uno de los mayores fabricantes. Estos componentes se utilizan en casi todos los tipos de dispositivos y equipos electrónicos en los mercados industrial, informático, automotriz, de consumo, de telecomunicaciones, militar, aeroespacial, energético y médico. Vishay se ha convertido en un líder mundial de la industria a través de la innovación de productos, estrategias de adquisición exitosas y servicios de “ventanilla única”. Vishay se puede encontrar en Internet en http://www.vishay.com.