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    Inicio - Optimización de componentes semiconductores de potencia de bajo voltaje y alta corriente
    Ingeniería Eléctrica

    Optimización de componentes semiconductores de potencia de bajo voltaje y alta corriente

    2 Mins Read Ingeniería Eléctrica
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    Optimización de componentes semiconductores de potencia de bajo voltaje y alta corriente
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    La densidad de corriente alcanzable de los componentes MOSFET de potencia de bajo voltaje ha aumentado significativamente en los últimos años. Estos dispositivos se utilizan principalmente en accionamientos auxiliares de automoción o convertidores de energías renovables. El documento proporciona una descripción general del estado del arte y ofrece perspectivas para un mayor desarrollo dados ciertos factores.Requisitos de las aplicaciones exigentes antes mencionadas

    Introducción Aplicaciones

    La electrónica de potencia se ha convertido en una parte integral del sistema eléctrico del automóvil. Suministra agua a ventiladores de velocidad variable, bombas hidráulicas, etc. Con la introducción de generadores de arranque y sistemas en V con unidades asociadas, como el control de válvulas solenoides, se puede esperar un aumento en el uso.Un rango de potencia similar de varios kilovatios Los niveles de corriente en los sistemas automotrices alimentados por batería son altos para lograr secciones de potencia compactas, por lo que son obligatorias altas densidades de corriente en los dispositivos semiconductores Convertidores frecuentemente regulados por el refrigerante del motor de combustión interna Las condiciones de funcionamiento del amplio rango de temperatura alcanzan una temperatura máxima del disipador de calor de algunos TS C. Esto afecta la confiabilidad de los componentes, que deben ser muy altos en el rango de tiempo automotriz.
    Esto conduce a estándares de confiabilidad particularmente exigentes.

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