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    Nuevos materiales de baja dielectricidad para tecnología de 65nm

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    Nuevos materiales de baja dielectricidad para tecnología de 65nm
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    Los poros en la sílice porosa convencional se generan por descomposición y evaporación de polímeros orgánicos debido al calentamiento.

    Sílice porosa convencional (tipo plantilla)

    Los poros en la sílice porosa convencional se generan por descomposición y evaporación de polímeros orgánicos debido al calentamiento. Hay problemas con estos materiales de sílice porosa con plantilla. A medida que la plantilla se evapora, tiende a formar grandes polos o poros abiertos. Estos poros grandes o abiertos provocan la distracción de la película debido a la tensión mecánica. Como se muestra en la figura, la sílice porosa convencional tiende a debilitar la película de bajo k a medida que disminuye la constante dieléctrica.

    Por lo tanto, es importante lograr tanto la constante dieléctrica como la resistencia mecánica. A menos que se obtenga un “material fuerte de constante dieléctrica baja”, es difícil integrar el cableado multicapa.

    Sílice nanocluster: NCS
    Sílice nanocluster: NCS

    Las películas NCS se prepararon mediante la combinación de nanoclusters que generan cavidades a nivel molecular. Además, se formaron poros cerrados en la película por calentamiento. Además, los grupos producidos se unieron fuertemente entre sí debido al uso de catalizadores fuertes. A partir de estos resultados, podemos esperar tanto una baja constante dieléctrica como una alta resistencia mecánica.

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