Símbolos para transistores, IGFET y MOSFET
Transistor NPN BJT
Un transistor de unión bipolar (BJT) NPN que consta de tres capas de material semiconductor. Un material semiconductor de tipo AP se intercala entre dos materiales de tipo N. Este es un dispositivo de corriente controlado por corriente que se utiliza para conmutación o amplificación. La corriente que ingresa a través de la terminal base se amplifica a la corriente que ingresa a través del colector.
Transistor PNP BJT
Este símbolo representa un transistor PNP BJT. Consiste en un material semiconductor de tipo N intercalado entre dos materiales de tipo P. Un transistor PNP amplifica cuando su base es negativa con respecto a su colector y emisor. En otras palabras, amplifica la corriente que fluye desde la terminal base.
FET de túnel
Un TFET, o transistor de efecto de campo de túnel, es un tipo de MOSFET que tiene una estructura similar a un MOSFET tradicional, pero con un mecanismo de conmutación diferente. Hacen uso de fenómenos de tunelización cuántica, lo que los convierte en candidatos perfectos para la electrónica de baja potencia.
Transistor uniunión tipo N
Un transistor de uniunión consiste en una base ligeramente dopada y un emisor fuertemente dopado, creando solo una unión. También llamado “diodo de base doble”. El potencial del emisor relativo a la base controla la corriente a través de la base. Un UJT de tipo N consta de una base de tipo P ligeramente dopada (B1 y B2) y un emisor de tipo N fuertemente dopado (E). Se utilizan principalmente para disparar tiristores.
Transistor uniunión tipo P
Este es un transistor de uniunión tipo P hecho de una barra de material tipo N ligeramente dopado con una parte tipo P fuertemente dopada cerca de la base2. Se comporta como un UJT tipo N, pero con la polaridad del voltaje invertida.
fototransistor
Un fototransistor es un transistor dependiente de la luz que convierte la energía de la luz en corriente entre el colector y el emisor. Se comporta como un fotodiodo, pero el factor de ganancia adicional lo hace más sensible. Se utilizan en aplicaciones de detección óptica.
Transistor NPN multiemisor
Este es un tipo especial de BJT (Transistor de unión bipolar) con múltiples emisores. Los emisores son independientes entre sí y la corriente a través de cada emisor depende de su voltaje individual en relación con la base del transistor. Se utilizan principalmente en puertas NAND TTL (Transistor-transistor Logic).
Transistor NPN de avalancha
Este es un tipo de BJT diseñado específicamente para operar en la región de ruptura de avalancha donde ocurre el fenómeno de resistencia diferencial negativa. En este punto, al aumentar el voltaje, la corriente disminuye. Por lo tanto, los transistores de avalancha tienen la capacidad de cambiar grandes corrientes muy rápidamente.
Transistor Schottky NPN
Se compone de un diodo Schottky y un transistor. Un diodo Schottky está conectado entre la base y el colector. Desviar el exceso de corriente evita que el transistor se sature. El tiempo de retraso en la eliminación de la carga almacenada en el modo de saturación ayuda con el cambio rápido.
Transistor JFET canal N
Un JFET o transistor de efecto de campo de unión es un transistor unipolar ya que el flujo de corriente se debe a un solo tipo de portador. El JFET está controlado por voltaje. Es decir, el flujo de corriente está controlado por el voltaje en su terminal de puerta. El voltaje aumenta o disminuye la región de agotamiento, que controla el flujo de corriente. Un JFET de canal N tiene un canal de tipo N entre la fuente y el drenaje y la compuerta está hecha de material de tipo P.
Transistor JFET canal P
Este símbolo representa un JFET de canal P (indicado por una flecha que apunta hacia afuera). Un JFET de canal AP consiste en un canal tipo P hecho entre el drenaje y la fuente, con la puerta hecha de material tipo N. Un JFET de canal P se apaga manteniendo un voltaje positivo desde la puerta hasta la fuente.
PUT Transistor uniunión programable
Un PUT o UJT programable es un dispositivo de cuatro capas PN similar a un tiristor, pero se comporta como un UJT cuando se programa con dos resistencias externas. Tiene terminales de ánodo, cátodo y puerta. El voltaje en el terminal de la puerta enciende y apaga el PUT cuando excede el nivel de corte.
Par de transistores NPN Darlington
Este es un tipo especial de transistor que conecta el emisor de un BJT a la base de otro BJT para aumentar la sensibilidad y la ganancia de corriente. Se puede hacer con transistores NPN o PNP conectándose en esta configuración. La ganancia total de un transistor Darlington es el producto de las ganancias de los BJT individuales, con el doble de la caída de voltaje en el emisor base.
Par de transistores Sicrai
Los transistores Sziklai se fabrican combinando dos transistores NPN y PNP en una configuración de par Darlington. La principal ventaja de este par Sicrai es que se enciende a 0,7v mientras que la ganancia total sigue siendo la misma que la del par Darlington.
MOSFET tipo empobrecimiento
Un MOSFET o Metal Oxide Semiconductor FET es otro transistor de efecto de campo en el que la puerta está completamente separada del canal que transporta corriente. Por lo tanto, también se conoce como IGFET (Insulated Gate FET). Es un dispositivo de corriente controlado por voltaje. Un MOSFET en modo de agotamiento normalmente se enciende cuando el voltaje de la fuente de la puerta es cero. Se apagan aplicando un voltaje de fuente de puerta positivo o negativo al MOSFET de canal P o canal N, respectivamente.
MOSFET de tipo mejorado
Los MOSFET en modo mejorado normalmente no conducen cuando el voltaje de la fuente de la puerta es cero. Se encienden aplicando un voltaje de fuente de puerta positivo al canal N y aplicando un voltaje de fuente de puerta negativo al MOSFET de mejora del canal P. El tipo de mejora se parece a un interruptor normalmente abierto, mientras que el tipo de empobrecimiento se parece a un interruptor de tipo normalmente cerrado.
MOSFET de tipo mejorado con volumen
Este tipo de MOSFET de mejora tiene cuatro terminales. Los terminales adicionales se conocen como terminales a granel o corporales. No es un terminal de entrada ni de salida, pero se utiliza para conectar a tierra la placa. Por lo general, está conectado internamente al terminal fuente, por lo que se omite del símbolo para un cableado despejado y para proporcionar un esquema claro.
MOSFET tipo empobrecimiento a granel
Este MOSFET agotado tiene una terminal separada para volumen o cuerpo. Opere en cortocircuito con el terminal fuente del MOSFET. Conecte a tierra el subestado.
MOSFET de empobrecimiento de doble puerta
Un MOSFET de doble puerta es un tipo especial de MOSFET que incorpora dos puertas separadas en serie. Una puerta proporciona un control más preciso sobre el factor de amplificación. Por ejemplo, la amplificación de la señal en la Puerta 1 se puede controlar variando la señal en la Puerta 2, lo que proporciona un control automático de las señales de magnitud variable.
MOSFET tipo mejora de doble puerta
Este es un MOSFET de doble puerta de tipo mejorado. Se comportan de manera similar a los MOSFET de modo de agotamiento, con la única diferencia de que el modo de agotamiento normalmente conduce y el modo de mejora generalmente no conduce cuando el voltaje de la fuente de la puerta es cero.
transistor FET de nivel lógico
Los transistores FET de nivel lógico están diseñados para su uso en sistemas lógicos digitales. Se utilizan para conmutar cargas pesadas cuando se aplica lógica digital. Esto significa que un voltaje lógico positivo, normalmente de 5 V, en la fuente de la compuerta comenzará a conducir la corriente máxima.
foto transistor FET
Un fototransistor FET es un FET dependiente de la luz que cambia cuando cambia la intensidad de la luz en la unión. Se utilizan en optoacopladores u optoaisladores para separar eléctricamente dos circuitos con un LED entre ellos.
Símbolos eléctricos y electrónicos relacionados: