Este documento es un informe de ingeniería que describe un adaptador de 4 A y 5,1 V que utiliza dispositivos de la familia de circuitos integrados InnoSwitch-CH. Este diseño ofrece un rendimiento excelente al mismo tiempo que exhibe una alta densidad de potencia y eficiencia habilitadas por el alto nivel de integración.
Filtrado EMI de entrada
El fusible F1 aísla el circuito y protege contra la falla de los componentes. El estrangulador de modo común L2 con condensadores C9 y C12 atenúa EMI. El puente rectificador BR1 rectifica el voltaje de línea de CA y proporciona CC rectificada de onda completa a través del filtro que consta de C1, L3 y C2. El inductor L3 y los condensadores C1 y C2 forman un filtro pi. Este filtro y el condensador C12 proporcionan filtrado de ruido diferencial.
InnoSwitch-CH IC primario
Un lado del primario del transformador está conectado al bus de CC rectificado y el otro lado está conectado al MOSFET de potencia integrado de 650 V dentro del InnoSwitch-CH IC (U1). Una abrazadera RCD de bajo costo que consta de D1, R1, R2 y C3 limita el voltaje máximo de drenaje debido a los efectos de la reactancia de fuga del transformador y la inductancia de traza de salida.
InnoSwitch-CH IC Secundario
El lado secundario de InnoSwitch-CH proporciona voltaje de salida, detección de corriente de salida y transmisión a MOSFET para rectificación síncrona. El secundario del transformador se rectifica mediante FET síncronos (SR FET), Q1 y Q2, y se filtra mediante los condensadores C10, C11 y C13. El zumbido de alta frecuencia durante los transitorios de conmutación, que produce alto voltaje a través del FET SR y la EMI radiada, se reduce con los componentes amortiguadores R7 y C6.