Los dispositivos modernos de administración de energía a menudo combinan control digital con circuitos analógicos de alto rendimiento para brindar soluciones de conversión de energía multicanal. La integración de múltiples reguladores reductores (reductores) de conmutación de Modulación de ancho de pulso digital (DPWM) y sus controladores FET asociados con otras funciones de administración, monitoreo y protección de energía en un solo chip simplifica enormemente el diseño del sistema y puede interactuar con ellos, reduciendo el costo y el tiempo para mercado. Conectar el dispositivo a FET de alimentación externa puede presentar desafíos adicionales.
Los dispositivos modernos de administración de energía a menudo combinan control digital con circuitos analógicos de alto rendimiento para brindar soluciones de conversión de energía multicanal. La integración de múltiples reguladores reductores (reductores) de conmutación de Modulación de ancho de pulso digital (DPWM) y sus controladores FET asociados con otras funciones de administración, monitoreo y protección de energía en un solo chip simplifica enormemente el diseño del sistema y puede interactuar con ellos, reduciendo el costo y el tiempo para mercado. Conectar el dispositivo a FET de alimentación externa puede presentar desafíos adicionales.
Los controladores de puerta en chip de tales reguladores PWM generalmente están optimizados para controlar MOSFET de lado alto y lado bajo para proporcionar una operación de rectificación síncrona. Debido a su alta corriente y rápidos tiempos de subida y bajada, estos controladores generalmente deben colocarse cerca del MOSFET que manejan. Sin embargo, con múltiples reguladores en un solo chip, esto no siempre es posible y muchas aplicaciones requieren que uno o más rieles se coloquen a cierta distancia del controlador.
Este artículo presenta y valida una técnica de diseño de diseño que permite que el MOSFET se separe del controlador por tan solo 5 pulgadas desde un punto de vista teórico y práctico.
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Extensión de conductores de accionamiento de compuerta MOSFET