Esta nota de aplicación proporciona consejos de aplicación sobre el uso de la protección ESD externa del TH808x con varios elementos de protección externos. Este documento también proporciona instrucciones de prueba ESD según DIN 61000-4-2 y otras recomendaciones.
Esta nota de aplicación proporciona consejos de aplicación sobre el uso de la protección ESD externa del TH808x con varios elementos de protección externos. Este documento también proporciona instrucciones de prueba ESD según DIN 61000-4-2 y otras recomendaciones.
Para verificar los diversos circuitos externos, se aplicó el método de prueba LIN ESD estándar descrito en la especificación de prueba LIN EMC Rev 2.0 (DIN 61000-4-2). Este método de prueba se utiliza para la verificación de ESD relacionada con IC de dispositivos LIN. El valor de este método de prueba se puede correlacionar con el comportamiento a nivel de módulo, pero en general las condiciones de prueba, la forma de pulso. El tiempo de subida y la energía del pulso aplicado son muy diferentes.
La Figura 1 muestra la mejora en la protección ESD del TH808x al usar diferentes elementos de protección ESD.
Descripción de la prueba ESD según DIN 61000-4-2
Se utilizó el siguiente equipo para las pruebas según DIN 61000-4-2:
- Simulador ESD: prueba EM ESD 30C
- Módulo de descarga: P 30C (150 pF/330 Ω o 330 pF/2 000 Ω)
- Osciloscopio: Tektronix TDS 544A
- Generador de funciones: HAMEG HM8130
La Figura 2 muestra el esquema de la configuración de prueba de ESD y la Figura 3 muestra la PCB de prueba.
Resultados de la prueba
Para verificar el dispositivo después del estrés ESD, monitoreamos las características I/V de los pines. Esta caracterización de pines ya puede detectar daños preexistentes causados por ESD, incluso si la funcionalidad del IC todavía está bien.
Para garantizar un nivel de robustez ESD de 8 kV a nivel de módulo, los elementos de protección recomendados para los transceptores TH8080/82 LIN son:
“Dispositivo de protección externa Varistor TDK AVR-M1608C270MBABB (15 pF) o transceptor similar, condensador de bus de 180 pF y resistencia en serie de 10 Ω”
El IBEE realizó pruebas para confirmar los resultados y verificar el impacto de los circuitos de protección externos en el comportamiento de EMC (DPI y radiado). Consulte el Informe de prueba de EMC No. 01-05-05 y 02-05-05.
Los dispositivos de protección externos pueden degradar el rendimiento de EMC debido a los efectos adicionales de resonancia, sujeción y demodulación. Ambos dispositivos exhiben un excelente comportamiento EMC en los circuitos recomendados.