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    Inicio - SRAM reforzada con 16 MB de radiación – EEWeb
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    SRAM reforzada con 16 MB de radiación – EEWeb

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    SRAM reforzada con 16 MB de radiación - EEWeb
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    El SMV512K32 es un SRAM CMOS asíncrono de alto rendimiento organizado como 524,288 palabras x 32 bits. Un pin se puede seleccionar entre dos modos: maestro o esclavo. La selección del dispositivo maestro proporciona opciones de depuración EDAC autónomas definidas por el usuario. La selección del dispositivo esclavo emplea una función de limpieza a pedido que puede ser iniciada por el dispositivo maestro. Se pueden usar tres ciclos de lectura y cuatro ciclos de escritura (ver a continuación) según las necesidades del usuario.

    El SMV512K32 es un SRAM CMOS asíncrono de alto rendimiento organizado como 524,288 palabras x 32 bits. Un pin se puede seleccionar entre dos modos: maestro o esclavo. La selección del dispositivo maestro proporciona opciones de depuración EDAC autónomas definidas por el usuario. La selección del dispositivo esclavo emplea una función de limpieza a pedido que puede ser iniciada por el dispositivo maestro. Se pueden usar tres ciclos de lectura y cuatro ciclos de escritura (ver a continuación) según las necesidades del usuario.

    característica

    • 20 ns de lectura, 13,8 ns de escritura con tiempo de acceso máximo
    • Funcionalmente compatible con comerciales.
    • 512K × 32 dispositivos SRAM
    • EDAC incorporado (Detección y corrección de errores) para mitigar errores leves
    • Motor de fregado incorporado para corrección autónoma
    • Niveles de entrada y salida compatibles con CMOS, bus de datos bidireccional de tres estados
    • 3,3 ±0,3-VI/O, 1,8 ±0,15-V núcleo
    • Rendimiento de radiación(1)
    • Utilice ingeniería de placa y diseño endurecido (HBD). (2)
    • Inmunidad TID > 3e5 rad (Si)
    • SER < 5e-17 alteraciones/bit-día (núcleo con EDAC y depuración)(3)
    • Inmunidad de enclavamiento > LET = 110 MeV (T = 398K)
    • Disponible en paquete plano cuádruple de cerámica de 76 minas

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