Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en soluciones de tecnología avanzada de semiconductores, desarrolló hoy la primera memoria monolítica de la industria de 4 Gigabit (Gb) LPDDR3 (baja potencia, doble velocidad de datos 3) utilizando la clase de 30 nanómetros (nm). hizo. * Tecnologías para aplicaciones móviles como teléfonos inteligentes y tabletas en el 8º Foro de Soluciones Móviles de Samsung realizado en The Westin Taipei.
Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en soluciones de tecnología avanzada de semiconductores, desarrolló hoy la primera memoria monolítica de la industria de 4 Gigabit (Gb) LPDDR3 (baja potencia, doble velocidad de datos 3) utilizando la clase de 30 nanómetros (nm). hizo. * Tecnologías para aplicaciones móviles como teléfonos inteligentes y tabletas en el 8º Foro de Soluciones Móviles de Samsung realizado en The Westin Taipei. Se requiere LPDDR3 DRAM para admitir procesadores rápidos, pantallas de alta resolución y gráficos 3D en dispositivos móviles de última generación de gama alta
“Samsung está proporcionando soluciones de memoria móvil ecológicas de vanguardia mediante el desarrollo del primer paquete LPDDR3 basado en 4 Gb de clase 30nm de la industria”, dijo Wang Hung Hong, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria, división de soluciones de dispositivos de Samsung Electronics. “Samsung continuará trabajando en estrecha colaboración con los diseñadores de dispositivos móviles para expandir el mercado de memorias móviles de próxima generación y brindar soluciones móviles de alto rendimiento”.
La nueva DRAM LPDDR3 de 4 Gb puede transferir datos hasta a 1600 megabits por segundo (Mbps). Eso es aproximadamente 1,5 veces más rápido que el LPDDR2 actual de mayor rendimiento de la industria, que funciona a 1066 Mbps. El nuevo componente consume un 20% menos de energía que su predecesor.
Además, al apilar dos chips de 4 Gb, Samsung permite el uso de un solo paquete LPDDR3 de 1 GB, lo que ofrece velocidades de transferencia de datos de hasta 12,8 gigabytes (GB) por segundo.
A partir del próximo trimestre, Samsung comenzará a probar chips LPDDR3 basados en 4 Gb para los principales proveedores de dispositivos móviles. Se espera que el chip sea ampliamente adoptado en aplicaciones móviles avanzadas como los teléfonos inteligentes y las tabletas de próxima generación el próximo año.
La cantidad máxima de DRAM móvil en dispositivos móviles de gama alta aumentará de 1 GB (8 Gb) a 2 GB (16 Gb) a principios del próximo año para satisfacer la creciente necesidad de soluciones de memoria móvil de alta densidad para procesar grandes cantidades de datos. Estas densidades se logran apilando cuatro chips LPDDR3 de 4 Gb.
Según un informe de investigación de IHS iSuppli, el mercado de LPDDR3 DRAM crecerá rápidamente a partir de 2013. Samsung preparará el mercado mediante la producción masiva de más componentes en 2012, lo que facilitará la rápida introducción de soluciones DRAM móviles premium en la industria de la electrónica móvil.
Para obtener más información sobre Samsung Green Memory, visite www.samsung.com/GreenMemory.