Toshiba Electronics Europe ha ampliado su familia IGBT integrada compacta con dispositivos de conmutación rápida. Esto simplifica el diseño y reduce el número de piezas para utensilios de cocina y otras aplicaciones de calentamiento por inducción.
Toshiba Electronics Europe ha ampliado su familia IGBT integrada compacta con dispositivos de conmutación rápida. Esto simplifica el diseño y reduce el número de piezas para utensilios de cocina y otras aplicaciones de calentamiento por inducción.
Optimizado para la conmutación de inversor resonante de voltaje, el nuevo ‘modo de mejora’ de canal N de 1200 V GT40QR21 consiste en un IGBT monolíticamente integrado y un diodo de rueda libre de recuperación inversa en un solo dispositivo compacto. Con clasificaciones de corriente máximas de 40 A a 25 °C y 35 A a 100 °C, el IGBT puede operar a temperaturas de unión extendidas de hasta 175 °C.
El GT40QR21 de Toshiba está diseñado para cambios muy rápidos. El tiempo de caída (tf) y el tiempo de apagado (toff) típicos de IGBT a una corriente de colector de 40 A son solo 0,2 μs y 0,4 μs respectivamente, mientras que el tiempo de recuperación inversa (trr) típico de IGBT es de 0,6 μs (IF = 15 A). El voltaje de saturación de colector-emisor típico (VCE (sat)) tiene una clasificación de solo 1,9 V (IC = 40 A).
Ofrecido en un paquete equivalente a TO-3P(N), TO247, el IGBT mide 15,5 mm x 20,0 mm x 4,5 mm y tiene una resistencia térmica máxima de unión a carcasa (Rth(jc)) de 0,65 °C/W.