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    Inicio - MOSFET NexFET de lado bajo de canal N de 30 V
    Electrónica

    MOSFET NexFET de lado bajo de canal N de 30 V

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    MOSFET NexFET de lado bajo de canal N de 30 V
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    Los MOSFET de potencia NexFET están diseñados para minimizar las pérdidas en las aplicaciones de conversión de potencia.Los MOSFET de potencia NexFET están diseñados para minimizar las pérdidas en las aplicaciones de conversión de potencia.

    *característica*
    * Qg y Qgd ultrabajos
    * Baja resistencia térmica
    * Calificación de avalancha
    * Revestimiento de terminales sin plomo
    * RoHS
    * libre de halógeno
    * SON Paquete de plástico de 5 mm × 6 mm

    *Uso del dispositivo*
    * Reducción síncrona de punto de carga en redes, telecomunicaciones, redes
    * y sistema de cómputo
    * Optimizado para control y aplicaciones FET síncronas

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