Vishay Intertechnology, Inc. presenta nuevos TrenchFET de canal n y canal p de 8 V y 20 V con la resistencia de encendido más baja de la industria en MOSFET de potencia CSP MICRO® de 1 mm x 1 mm x 0,55 mm y 1,6 mm x 1,6 mm x 0,6 mm. Paquete FOOT®.Vishay Intertechnology, Inc. presenta nuevos TrenchFET de canal n y canal p de 8 V y 20 V con la resistencia de encendido más baja de la industria en MOSFET de potencia CSP MICRO® de 1 mm x 1 mm x 0,55 mm y 1,6 mm x 1,6 mm x 0,6 mm. Paquete FOOT®.
Los dispositivos lanzados hoy se utilizan para cambiar la batería o la carga en aplicaciones de administración de energía para dispositivos electrónicos portátiles como teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos informáticos móviles. El factor de forma compacto del MOSFET ahorra espacio en la PCB y ofrece un perfil ultradelgado para dispositivos electrónicos portátiles más delgados y livianos. Su baja resistencia también conduce a menores pérdidas por conducción, reduciendo el consumo de energía y extendiendo la vida útil de la batería entre cargas. La baja resistencia de encendido del dispositivo también significa una baja caída de voltaje en el interruptor de carga, lo que evita el bloqueo por bajo voltaje no deseado.
Para aplicaciones en las que una baja resistencia de encendido es más importante que el espacio, el Si8424CDB de canal n de 8 V y el Si8425DB de canal p de –20 V proporcionan una resistencia de encendido máxima de 20 mΩ y 23 mΩ respectivamente a un controlador de compuerta de 4,5 V. Estos dispositivos se ofrecen en un paquete CSP de 1,6 mm x 1,6 mm x 0,6 mm. Un diminuto MOSFET de canal n de 8 V Si8466EDB de 1 mm x 1 mm x 0,55 mm con una resistencia de encendido máxima de 43 mΩ a 4,5 V se usa en aplicaciones donde el espacio es más importante que la resistencia de encendido. El Si8466EDB también ofrece protección ESD típica de 3000 V.
El Si8466EDB y el Si8424CDB tienen una clasificación de resistencia de tan solo 1,2 V, lo que permite que los dispositivos funcionen con el controlador de compuerta de bajo voltaje y los voltajes de bus bajos típicos de los dispositivos portátiles, lo que ahorra espacio y costos en los circuitos de cambio de nivel. Todos los dispositivos lanzados hoy cumplen con la directiva RoHS 2011/65/EU y son libres de halógenos según lo definido por JEDEC JS709A.
Si8466EDB, Si8424CDB y Si8425DB son las últimas extensiones de la familia MICRO FOOT y se pueden encontrar en http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/.
Las muestras y los volúmenes de producción de los nuevos MOSFET de potencia TrenchFET ya están disponibles, con plazos de entrega de 12 a 14 semanas para pedidos grandes. El precio para el envío a EE. UU. comienza en $0,15 por pieza en cantidades de 100 000. Siga los MOSFET de potencia TrenchFET en paquetes MICRO FOOT en http://twitter.com/vishayindust.