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    Electrónica

    DRAM síncrona CMOS DDR1 de alta velocidad

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    DRAM síncrona CMOS DDR1 de alta velocidad
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    Estos dispositivos proporcionan reemplazos confiables compatibles pin a pin para muchas soluciones similares en productos médicos, de comunicaciones, industriales y de consumo que requieren un alto ancho de banda de memoria y son especialmente adecuados para aplicaciones de PC de alto rendimiento. . Organizada internamente como cuatro bancos de 1M, 2M, 4M u 8M palabras x 16 bits con una interfaz síncrona, la SDRAM DDR1 funciona con un solo suministro de +2,5 V (± 0,2 V) y es de plomo (Pb) y funciona con halógeno. -gratis. Estos dispositivos proporcionan reemplazos confiables compatibles pin a pin para muchas soluciones similares en productos médicos, de comunicaciones, industriales y de consumo que requieren un alto ancho de banda de memoria y son especialmente adecuados para aplicaciones de PC de alto rendimiento. . Organizada internamente como cuatro bancos de 1M, 2M, 4M u 8M palabras x 16 bits con una interfaz síncrona, la SDRAM DDR1 funciona con un solo suministro de +2,5 V (± 0,2 V) y es de plomo (Pb) y funciona con halógeno. -gratis.

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    *AS4C4M16D1*
    * Densidad – 64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb
    * Configuración – 4M x 16 bits
    * Frecuencia de reloj – 200MHz
    * Velocidad de datos: 400 Mbps/pin
    * Paquete: TSOP II de 66 pines

    Las muestras de la nueva SDRAM DDR1 ya están disponibles con plazos de producción de ocho semanas. Los precios oscilan entre $0,85 y $1,60 por unidad.

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