El circuito integrado TPS54618RTE-Q1 SWIFT es un convertidor de modo de corriente reductor síncrono de 6 V, 6 A con todas las funciones con dos MOSFET integrados. El TPS54618RTE-Q1 integra un MOSFET, implementa control de modo de corriente para reducir el número de componentes externos, permite una frecuencia de conmutación de hasta 2 MHz para reducir el tamaño del inductor y es un IC pequeño de 3 mm x 3 mm Permite un diseño compacto al minimizar el espacio ocupado. Paquete QFN térmicamente mejorado.El circuito integrado TPS54618RTE-Q1 SWIFT es un convertidor de modo de corriente reductor síncrono de 6 V, 6 A con todas las funciones con dos MOSFET integrados. El TPS54618RTE-Q1 integra un MOSFET, implementa control de modo de corriente para reducir el número de componentes externos, permite una frecuencia de conmutación de hasta 2 MHz para reducir el tamaño del inductor y es un IC pequeño de 3 mm x 3 mm Permite un diseño compacto al minimizar el espacio ocupado. Paquete QFN térmicamente mejorado.
El TPS54618RTE-Q1 proporciona una regulación precisa para varias cargas con un sobrecalentamiento de temperatura de referencia de voltaje (VREF) de ±1 %. Un MOSFET integrado de 12 mΩ y una corriente de suministro típica de 515 µA maximizan la eficiencia. El uso del pin de habilitación reduce el consumo de corriente de apagado a 5,5 µA cuando el dispositivo entra en modo de apagado. Un MOSFET integrado de 12 mΩ y una corriente de suministro típica de 515 µA maximizan la eficiencia. El uso del pin de habilitación reduce el consumo de corriente de apagado a 5,5 µA cuando el dispositivo entra en modo de apagado. El repliegue de frecuencia y el apagado térmico protegen el dispositivo durante condiciones de sobrecorriente.
*característica*
* Calificado para aplicaciones automotrices
* AEC-Q100 calificado con los siguientes resultados:
– Grado de temperatura del dispositivo 1: Rango de temperatura ambiente de funcionamiento de –40 °C a 125 °C
– Nivel de clasificación HBM ESD del dispositivo H2
– Dispositivo CDM ESD clasificación nivel C4B
* Alta eficiencia con una carga de 6 A con dos MOSFET de 12 mΩ (valor típico)
* Frecuencia de conmutación de 300kHz a 2MHz
* 0,8 V ±1% Sobrecalentamiento del voltaje de referencia (-40 °C a 150 °C)
* Sincronizar con reloj externo
* Arranque lento y secuencia ajustables
* Buena salida de potencia UV y OV
* QFN de 16 pines de 3 mm × 3 mm térmicamente mejorado