El MB85R256F es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) con una configuración de 32 768 palabras x 8 bits que emplea tecnología de proceso CMOS de proceso ferroeléctrico y puerta de silicio para formar celdas de memoria no volátiles.El MB85R256F es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) con una configuración de 32 768 palabras x 8 bits que emplea tecnología de proceso CMOS de proceso ferroeléctrico y puerta de silicio para formar celdas de memoria no volátiles.
El MB85R256F puede retener datos sin la batería de respaldo requerida para SRAM. Una celda de memoria se puede utilizar para 10^12 operaciones de lectura/escritura. Esta es una mejora significativa sobre la cantidad de operaciones de lectura/escritura admitidas por la memoria flash y la EPROM.
*característica*
*Configuración de bits: 32 768 palabras x 8 bits
* Resistencia de lectura/escritura: 10^12 veces/byte
* Retención de datos: 10 años (+85⁰C), 95 años (+55⁰C), más de 200 años (+35⁰C)
*Voltaje de la fuente de alimentación de funcionamiento: 2,7 V a 3,6 V
* Bajo consumo de energía: corriente de alimentación de funcionamiento 5 mA (Typ). Corriente de espera 5 μA (tipo)
*Temperatura ambiente de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
* Paquete: SOP de plástico de 28 pines (FPT-28P-M17). SOP de plástico de 28 pines (FPT-28P-M01); TSOP de plástico de 28 pines(1)(FPT-28P-M19); ambos cumplen con RoHS