El nuevo MB85R4M2T retiene datos sin necesidad de baterías, lo que permite sistemas con requisitos reducidos de espacio, energía y costo. La eliminación de la batería reduce la huella de la memoria y los componentes relacionados en la placa PCB en más del 50 %. Esto también reduce los costos de repuestos y mantenimiento, lo que reduce el costo total de propiedad.El nuevo MB85R4M2T retiene datos sin necesidad de baterías, lo que permite sistemas con requisitos reducidos de espacio, energía y costo. La eliminación de la batería reduce la huella de la memoria y los componentes relacionados en la placa PCB en más del 50 %. Esto también reduce los costos de repuestos y mantenimiento, lo que reduce el costo total de propiedad.
MB85R4M2T permite el acceso aleatorio, por lo que los desarrolladores pueden utilizar fácilmente cualquier parte del banco de memoria según sea necesario. La alta velocidad de escritura minimiza la pérdida de datos en caso de un corte de energía, una ventaja significativa para aplicaciones donde los datos de producción o de alta calidad son críticos.
Los productos FRAM no volátiles como MB85R4M2T no consumen energía cuando la FRAM está apagada, lo que reduce en gran medida el consumo de energía para la retención de datos. Por el contrario, una batería de respaldo SRAM requiere 15 µW por segundo de corriente para retener los datos en la memoria cuando la alimentación principal está apagada.
*característica*
* Se puede utilizar como alternativa a SRAM
El paquete TSOP de 44 pines y la interfaz paralela del MB85R4M2T de 4 Mbit son compatibles con la memoria SRAM estándar, por lo que este chip puede reemplazar a SRAM en muchas aplicaciones.
* Disponibilidad
Las cantidades de muestra del nuevo MB85R4M2T de 4 Mbit empaquetado en un TSOP de 44 pines estarán disponibles en enero de 2014. Los nuevos chips representan los últimos productos FRAM avanzados de Fujitsu.
* Imágenes de alta resolución