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    Placa de desarrollo de controlador de puerta RF MOSFET

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    Placa de desarrollo de controlador de puerta RF MOSFET
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    IXYS ha anunciado la disponibilidad de las placas de desarrollo de controlador de compuerta RF MOSFET DVRFD630 y DVRFD631. Estas placas de circuito de uso general están diseñadas para demostrar el rendimiento de los controladores de compuerta MOSFET de RF IXRFD630 e IXRFD631 y proporcionan componentes básicos para el desarrollo de circuitos de potencia de alta velocidad.

    El controlador de compuerta RF MOSFET IXRFD630 o IXRFD631 está instalado y la placa está ensamblada y probada en fábrica. Hay dos configuraciones de placa disponibles en ambos casos. Se puede implementar un MOSFET de tamaño DE150 o DE275 en una configuración de placa y la segunda configuración tiene una almohadilla de huella más grande para dispositivos de tamaño DE375 o DE475. Este diseño de placa permite que tanto el controlador como el MOSFET se monten en un disipador de calor, lo que permite que el ensamblaje se use como un interruptor de alimentación del lado bajo con referencia a tierra en topologías de un solo extremo y de contrafase.

    La placa de desarrollo DVRFD630/631 es fácil de operar y solo requiere una señal de entrada compatible de 5 V y una fuente de alimentación de 12 V a 15 V CC.

    característica

    • Admite controladores de puerta MOSFET RF IXRFD630 o IXRFD631
    • Acciona MOSFET de la serie DE de todos los tamaños
    • Fácil de usar, solo requiere señal de entrada y tensión de alimentación
    • El diseño optimizado reduce la inductancia parásita
    • Tamaño total de tablero pequeño
    • Completamente ensamblado y probado

    solicitud

    • Demostración del controlador de puerta MOSFET RF IXRFD630 o IXRFD631
    • Interruptor de alimentación con referencia a tierra del lado bajo
    • Bloque de creación para topologías de un solo extremo y push-pull.

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