Close Menu
    Facebook X (Twitter) Instagram
    Facebook YouTube LinkedIn
    Industry SurferIndustry Surfer
    Inicio - Mejora del rendimiento y la eficiencia de conmutación con IGBT
    Electrónica

    Mejora del rendimiento y la eficiencia de conmutación con IGBT

    2 Mins Read Electrónica
    Facebook Twitter Pinterest LinkedIn Tumblr Email
    Mejora del rendimiento y la eficiencia de conmutación con IGBT
    Share
    Facebook Twitter LinkedIn Pinterest Email

    IXYS ha anunciado la expansión de su cartera de productos IGBT XPT de 650 V. Con clasificaciones de corriente de 16 A a 200 A, estos nuevos dispositivos están diseñados para lograr un equilibrio óptimo entre la pérdida de energía de apagado y el voltaje de estado, especialmente en aplicaciones de conmutación difíciles. La capacidad de admitir frecuencias de conmutación de hasta 60 kHz permite a los diseñadores utilizar componentes más pequeños y livianos en sus sistemas. También están disponibles dispositivos con diodos rápidos en antiparalelo.

    Construidos con tecnología patentada Extreme-light Punch-Through (XPT) y proceso IGBT de última generación (GenX3), estos dispositivos cuentan con resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía, capacidad de conmutación rápida, etc. indica la calidad de . Están clasificados para avalanchas y pueden soportar condiciones de cortocircuito. También cuenta con un área de operación segura de polarización inversa cuadrada (RBSOA) que soporta voltajes de hasta 650 V. Todas estas características lo hacen muy robusto y especialmente útil para diseños de conmutación dura sin amortiguadores.

    Otras ventajas incluyen la baja carga de la compuerta y el coeficiente de temperatura positivo del voltaje en estado activo, respectivamente, que reducen los requisitos de activación de la compuerta y permiten la conexión en paralelo de varios dispositivos. Además, el Sonic-FRD opcional está optimizado para reducir las pérdidas por desconexión y suprimir las oscilaciones de timbre que pueden causar interferencias electromagnéticas (EMI) en el sistema. Estos diodos también se pueden operar en paralelo gracias a la estabilidad de temperatura del voltaje directo.

    Una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía pueden beneficiarse de la introducción de estos nuevos IGBT. Estos incluyen inversores de potencia, fuentes de alimentación ininterrumpida, fuentes de alimentación conmutadas, circuitos de corrección del factor de potencia, cargadores de batería, soldadores, balastos para lámparas, bicicletas eléctricas y más.

    Los nuevos IGBT XPT de 650 V están disponibles en paquetes de tamaño estándar internacional TO-220 (regular y sobremoldeado), TO-247, TO-263, TO-268 HV y SOT-227B. TO-268HV es un paquete de alto voltaje único con mayor fuga entre conductores en comparación con los paquetes estándar. Los números de pieza de ejemplo incluyen IXYP15N65C3D1M, IXYP10N65C3, IXYH40N65C3H1 e IXYH100N65C3 con clasificaciones de corriente de colector de 16 A, 30 A, 80 A y 200 A respectivamente.

    Share. Facebook Twitter Pinterest LinkedIn Tumblr Email

    Entradas relacionadas

    ESD Alliance agrega CEMWorks a la comunidad de miembros

    Renesas Electronics anuncia el sintetizador de ondas milimétricas de banda ancha de mayor rendimiento de la industria

    Microchip amplía familia SiC para mejorar eficiencia, tamaño y fiabilidad.

    Entradas recientes
    ¿Qué es el campo magnético y cómo funciona?
    circuito capacitivo de ca
    circuito inductivo ca
    ¿Cómo probar un diodo? Uso de multímetros analógicos y digitales (DMM)
    Noticias industrial
    ¿Qué es el campo magnético y cómo funciona?
    circuito capacitivo de ca
    circuito inductivo ca
    ¿Cómo probar un diodo? Uso de multímetros analógicos y digitales (DMM)
    Facebook YouTube LinkedIn
    © 2025 Hecho con ♥ desde México

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Ir a la versión móvil