Fujitsu Semiconductor anunció que ha desarrollado un nuevo producto FRAM “MB85RC1MT” con memoria de 1 Mbit, que es la densidad de memoria más alta entre los productos de la compañía equipados con una interfaz serial I2C. Los envíos de muestra del nuevo producto comenzarán hoy.Fujitsu Semiconductor anunció que ha desarrollado un nuevo producto FRAM “MB85RC1MT” con memoria de 1 Mbit, que es la densidad de memoria más alta entre los productos de la compañía equipados con una interfaz serial I2C. Los envíos de muestra del nuevo producto comenzarán hoy. El nuevo producto garantiza hasta 10 billones de ciclos de lectura/escritura, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren una reescritura frecuente de datos, como el registro de datos en tiempo real para FA, pesaje y equipos industriales. Con una amplia línea de productos de interfaz serial I2C y SPI, Fujitsu Semiconductor ahora puede proporcionar productos de memoria no volátil que mejor se adapten a sus requisitos.
FRAM es un tipo de memoria que tiene tanto la no volatilidad, que retiene los datos incluso cuando se apaga la alimentación, como el acceso aleatorio, que permite que los datos se escriban a alta velocidad. Destaca entre las tecnologías de memoria no volátil, garantizando hasta 10 billones de ciclos de lectura/escritura. Desde que Fujitsu Semiconductor comenzó la producción en masa de productos FRAM en 1999, estas características se han utilizado en una amplia gama de aplicaciones, incluidos equipos de automatización de fábricas, equipos de medición, terminales financieras y equipos médicos.
Fujitsu Semiconductor agregó recientemente una nueva incorporación a su línea de FRAM, el MB85RC1MT con 1 Mbit (128K palabras x 8 bits) de memoria. Esta es la densidad de memoria más alta de la compañía con una interfaz serial I2C.
El producto funciona con un voltaje de 1,8 a 3,3 V en un rango de temperatura de -40 a 85 °C. En cuanto a la frecuencia de funcionamiento, además del funcionamiento a 1 MHz equivalente a una EEPROM convencional, admite un modo de “alta velocidad” que permite leer y escribir a 3,4 MHz. Garantiza 10 billones de reescrituras, lo que supera con creces la EEPROM convencional, y admite reescrituras de datos frecuentes, como el registro de datos en tiempo real de productos de interfaz I2C y otros productos de interfaz. Además, las aplicaciones que han utilizado otros productos con una interfaz I2C, como EEPROM y microcontroladores, pueden reemplazar la EEPROM con productos FRAM más nuevos, lo que permite la captura de datos de alta precisión con registro de alta frecuencia (Figura 1) para reducir el consumo de energía durante el funcionamiento. Escribir datos (Figura 2).
Con la adición de MB85RC1MT, la línea de productos FRAM con interfaz IC se amplía para cubrir el rango de 4 Kbit a 1 Mbit, y la línea de productos FRAM con interfaz SPI se amplía para cubrir el rango de 16 Kbit a 2 Mbit (Fig. 3). Ofrecidos en un paquete SO de 8 pines estándar de la industria, estos productos FRAM reemplazan la EEPROM o la memoria flash en serie utilizada en aplicaciones tales como automatización de fábricas, instrumentación y equipos industriales sin cambios significativos en el diseño de PCB.
Fujitsu Semiconductor ha sido muy aclamado por su fabricación y recientemente recibió el 60º Premio de Tecnología en Memoria de Okochi por su desarrollo de la tecnología de fabricación FRAM. En el futuro, Fujitsu continuará brindando productos FRAM de alta calidad que satisfagan las necesidades de los clientes aprovechando el conocimiento que ha cultivado tanto en diseño como en fabricación. La futura línea de productos también incluirá productos de baja potencia, que tienen una demanda cada vez mayor en aplicaciones donde la operación de bajo voltaje es esencial, como la recolección de energía.