El MB85RC64 es un chip independiente FRAM (memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio) de 8192 palabras x 8 bits que utiliza un proceso ferroeléctrico y tecnología de proceso CMOS de puerta de silicio para formar celdas de memoria no volátiles.El MB85RC64 es un chip independiente FRAM (memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio) de 8192 palabras x 8 bits que utiliza un proceso ferroeléctrico y tecnología de proceso CMOS de puerta de silicio para formar celdas de memoria no volátiles.
MB85RC64 emplea una interfaz serial de 2 hilos. A diferencia de SRAM, MB85RC64 puede retener datos sin usar una batería de respaldo de datos. La resistencia de lectura/escritura de las celdas de memoria no volátil utilizadas en MB85RC64 ha mejorado a más de 1010 ciclos, lo que supera con creces la memoria flash y E2PROM en ese número. MB85RC64 no requiere una secuencia de sondeo después de escribir en la memoria como memoria flash o E2PROM.
*característica*
*Configuración de bits: 8 192 palabras x 8 bits
*Voltaje de la fuente de alimentación de funcionamiento: 2,7 V a 3,6 V
*Frecuencia de funcionamiento: 400 kHz (máximo)
*Interfaz serial de 2 hilos: cumple con la especificación de bus I2C ver2.1, compatible con modo estándar/modo rápido. Totalmente controlable con dos puertos: reloj serie (SCL) y datos serie (SDA)
* Rango de temperatura de funcionamiento: -40⁰C a +85⁰C
* Período de retención de datos: 10 años (+75⁰C)
* Resistencia de lectura/escritura: 10^10 veces
* Paquete: Plástico/SOP, 8 pines (FPT-8P-M02)
* Bajo consumo de energía: corriente de funcionamiento 0,15 mA (máx. a 400 kHz), corriente de espera 5 μA (típico)