Mejorar la densidad de potencia y la eficiencia de carga liviana es una preocupación clave para los diseñadores de servidores, telecomunicaciones y fuentes de alimentación de CA-CC. Además, la rectificación síncrona en estos diseños de fuente de alimentación conmutada (SMPS) requiere soluciones de alimentación rentables que aumenten la eficiencia y reduzcan el consumo de energía al tiempo que minimizan el espacio en la placa. Fairchild Semiconductor ayuda a los diseñadores a enfrentar estos desafíos de diseño de fuentes de alimentación con su expansión de la familia MOSFET PowerTrench®.Mejorar la densidad de potencia y la eficiencia de carga liviana es una preocupación clave para los diseñadores de servidores, telecomunicaciones y fuentes de alimentación de CA-CC. Además, la rectificación síncrona en estos diseños de fuente de alimentación conmutada (SMPS) requiere soluciones de alimentación rentables que aumenten la eficiencia y reduzcan el consumo de energía al tiempo que minimizan el espacio en la placa. Fairchild Semiconductor ayuda a los diseñadores a enfrentar estos desafíos de diseño de fuentes de alimentación con su expansión de la familia MOSFET PowerTrench®.
Como parte de la cartera de MOSFET de potencia de voltaje medio, estos dispositivos son interruptores de potencia optimizados que combinan carga de compuerta baja (QG), carga de recuperación inversa baja (Qrr) y diodos de cuerpo de recuperación inversa suave para una conmutación rápida Permite velocidad. Disponibles en clasificaciones de 40 V, 60 V y 80 V, estos dispositivos requieren menos disipación de energía en los circuitos amortiguadores debido a los diodos de cuerpo blando optimizados que reducen los picos de voltaje hasta en un 15 % en comparación con las soluciones de la competencia.
El dispositivo emplea tecnología de silicio de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga, lo que resulta en una mayor densidad de potencia, menor timbre y una mejor eficiencia de carga ligera. Con esta tecnología, el dispositivo logra una cifra de mérito más baja (QG x RDS (ON)) al tiempo que reduce las pérdidas de la unidad y mejora la eficiencia energética.
Los primeros dispositivos disponibles incluyen el FDMS015N04B de 40 V y el FDMS039N08B de 80 V en paquetes Power56, y el FDP020N06B de 60 V y el FDP027N08B de 80 V en paquetes TO-220 de 3 conductores.
La incorporación de estos nuevos MOSFET PowerTrench mejora la gama de MOSFET de media tensión de Fairchild. Estos dispositivos son parte de la cartera de tecnología integral PowerTrench y ayudan a lograr una mayor eficiencia energética al cumplir con los requisitos de rendimiento eléctrico y térmico de la electrónica actual.
*característica*
* Tamaño de paquete más pequeño (Power56 y TO-220 de 3 conductores), que proporciona el máximo rendimiento térmico para el tamaño del sistema
*Bajar QG para reducir las pérdidas de accionamiento de la compuerta
* La baja relación QGD/QGS evita el encendido no deseado y mejora la confiabilidad del sistema
* La capacitancia parásita dinámica baja reduce las pérdidas del controlador de compuerta para aplicaciones de alta frecuencia
* 100% UIL probado
* RoHS
* Precio: US$ por 1,000 piezas
FDMS015N04B: $1,78
FDMS039N08B: $1,60
FDP020N06B: $4.50
FDP027N08B: $3,30
* Para hojas de datos en formato PDF, visite:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf