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    Tecnología CMOS analógica y RF

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    Tecnología CMOS analógica y RF
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    La tecnología CMOS RF y analógica de Fujitsu incluye procesos de baja fuga de 90 nm y 65 nm. Tiene un dieléctrico intermetálico perfecto de bajo K y ultrabajo K. Viene con inductores de metal grueso y resistencias de polietileno de alto valor.La tecnología CMOS RF y analógica de Fujitsu incluye procesos de baja fuga de 90 nm y 65 nm. Tiene un dieléctrico intermetálico perfecto de bajo K y ultrabajo K. Viene con inductores de metal grueso y resistencias de polietileno de alto valor.

    La base de la tecnología RF CMOS de Fujitsu es un proceso de baja fuga con transistores capaces de conmutar frecuencias muy por encima de los 100 GHz. El proceso también cuenta con pozos triples para mejorar el aislamiento del ruido. Los dispositivos pasivos de alta calidad, como resistencias de alto valor, capacitores de metal-aislante-metal (MIM) e inductores de cobre grueso, cumplen con los requisitos de los sistemas de RF de alto rendimiento.

    En el kit de diseño se proporcionan modelos precisos de transistores PSP basados ​​en potencial de superficie y BSIM tradicionales. PSP proporciona un mejor modelado del ruido de la puerta y del canal y un mejor análisis de orden superior de la distorsión de la señal. Inductor Toolbox proporciona modelos escalables y precisos y celdas de diseño parametrizadas. Un sofisticado entorno de simulación estadística permite a los ingenieros evaluar las sensibilidades de los procesos y explorar las opciones de diseño.

    La tecnología RF CMOS de Fujitsu reduce la complejidad de los diseños de RF de alta frecuencia. Esta tecnología es una plataforma ideal para diseños FR SoC completos para aplicaciones inalámbricas de vanguardia.

    *característica*
    * Proceso tecnológico
    – Proceso de baja fuga de 90 nm y 65 nm
    – Separación de pozo triple
    – Varactores MOS
    – Resistencia polivinílica de alto valor
    – Condensadores metal-aislante-metal (MIM) y MOS
    – inductor de metal grueso
    – Dieléctricos intermetálicos perfectos de K bajo y K ultrabajo
    * Paquete de diseño
    – Modelos de transistores basados ​​en PSP y BSIM
    – especialmente el modelo de varactor MOSVAR
    – Caja de herramientas de síntesis de inductores
    – Sistema de diseño de esquinas flexibles X-SIGMA
    – Herramienta de verificación de modelos basada en PCM
    – Entorno de simulación y análisis estadístico avanzado
    – Cartera integral de IP y flujo de herramientas EDA estándar

    *solicitud*
    * Red inalámbrica (IEEE 802.11x, WiMAX)
    * Teléfono móvil (3G, 4G LTE)
    * Bluetooth
    * Difusión multimedia digital
    * Audio/vídeo inalámbrico
    * Sistema de navegación
    * USB inalámbrico
    * Red de sensores inalámbricos
    * RFID
    * Red cableada de alta velocidad
    * Analógico de precisión

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