TE Circuit Protection ha desarrollado un dispositivo ESD de silicio libre de halógenos SESD0402P1BN-0450-090. El dispositivo tiene un voltaje mínimo de ruptura de 9 V, un voltaje pico inverso operativo de 6 Vrwn y una temperatura de funcionamiento de -40 a +125 °C.TE Circuit Protection ha desarrollado un dispositivo ESD de silicio libre de halógenos SESD0402P1BN-0450-090. El dispositivo tiene un voltaje mínimo de ruptura de 9 V, un voltaje pico inverso operativo de 6 Vrwn y una temperatura de funcionamiento de -40 a +125 °C.
*característica*
* Capacitancia de entrada (típica) Vr = 0V, f = 1MHz (pF) = 4.5
* Corriente de fuga (máx.) @ VRWM = 6,0 V (μA) = 1
* Voltaje de pinza (típico) @ Ipp=2A, tp=(8/20µs) (V) = +10.0 / -10.0
* Factor de forma (mm) = 1005
* Factor de forma (pulgadas) = 0402
* Libre de halógenos = Vr≤900ppm, CI≤900ppm, Br+CI≤1500ppm