El CSD19506KCS es un MOSFET de potencia NexFET™ de canal N con voltaje de salida de 80 V y resistencia de encendido de fuente de drenaje de 2,0 mΩ. Este dispositivo está destinado a reducir las pérdidas en las aplicaciones de conversión de energía. Fabricado en un paquete TO-220.El CSD19506KCS es un MOSFET de potencia NexFET™ de canal N con voltaje de salida de 80 V y resistencia de encendido de fuente de drenaje de 2,0 mΩ. Este dispositivo está destinado a reducir las pérdidas en las aplicaciones de conversión de energía. Fabricado en un paquete TO-220.
*característica*
* Qg y Qgd ultrabajos
* Baja resistencia térmica
* Calificación de avalancha
* Revestimiento de terminales sin plomo
* RoHS
* libre de halógeno
* Paquete de plástico TO-220