STMicroelectronics ha anunciado una nueva familia de MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje para aplicaciones automotrices. Estos dispositivos calificados AEC-Q101 se construyen utilizando la tecnología de superunión MDmesh™ DM2 de última generación de ST y diodos de recuperación rápida. El dispositivo tiene un voltaje de ruptura que va de 400 V a 650 V y viene en paquetes D2PAK, TO-220 y TO-247.STMicroelectronics ha anunciado una nueva familia de MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje para aplicaciones automotrices. Estos dispositivos calificados AEC-Q101 se construyen utilizando la tecnología de superunión MDmesh™ DM2 de última generación de ST y diodos de recuperación rápida. El dispositivo tiene un voltaje de ruptura que va de 400 V a 650 V y viene en paquetes D2PAK, TO-220 y TO-247.
Los dispositivos de 400 V y 500 V son los primeros dispositivos calificados AEC-Q101 de la industria con estos voltajes de ruptura, y los dispositivos de 600 V y 650 V ofrecen un mejor rendimiento que la competencia. Todos estos dispositivos están diseñados para aplicaciones automotrices que requieren diodos de cuerpo rápido integrados, un comportamiento de rectificación más suave y protección zener de fuente de puerta consecutiva. Adecuado para topologías de conmutación de voltaje cero de puente completo.
Los nuevos MOSFET de potencia de ST ofrecen el mejor rendimiento en el mercado automotriz tanto en Trr/Qrr como en factor de suavidad, al mismo tiempo que se encuentran entre los mejores en energía de apagado (Eoff) a altas corrientes, mejorando la eficiencia de las fuentes de alimentación automotrices Let Además, el excelente rendimiento del diodo de cuerpo rápido reduce los problemas de EMI y permite el uso de componentes de filtrado pasivo más pequeños. De esta forma, la tecnología MDmesh™ DM2 permite diseños de fuente de alimentación más “verdes” al reducir el desperdicio de energía, maximizar la eficiencia y minimizar el factor de forma del producto final.
Las características técnicas clave de los nuevos MOSFET de potencia para automóviles de ST son:
* Diodo de cuerpo de recuperación rápida
* Los dispositivos D2PAK de 500 V tienen una carga de compuerta muy baja y una capacitancia de entrada de 44 nC y 1850 pF, respectivamente.
* Baja resistencia ON
* Tiempo óptimo de recuperación inversa (Trr): 120 ns a 28 A para dispositivos TO-247 de 600 V, 135 ns a 48 A para dispositivos TO-247 de 650 V
* Protección de la puerta a la fuente Zener
Los precios por cantidades de 1000 oscilan entre US$3,0 y US$10,0 según el voltaje de ruptura y el tipo de paquete.