En este video, Fujitsu muestra que FRAM es similar a SRAM y significativamente más rápido que EEPROM. Sin embargo, aunque FRAM tiene velocidades de escritura comparables a SRAM, FRAM tiene la ventaja de que sigue siendo una memoria no volátil.https://www.youtube.com/watch?v=hQMRMvXjjHE
En este video, Fujitsu muestra que FRAM es similar a SRAM y significativamente más rápido que EEPROM. Sin embargo, aunque FRAM tiene velocidades de escritura comparables a SRAM, FRAM tiene la ventaja de que sigue siendo una memoria no volátil.
Además, mire este video para ver por qué la memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico (FRAM) es la opción de memoria ideal para aplicaciones que requieren memoria no volátil de alto rendimiento.
FRAM es mucho más rápido que EEPROM y ofrece velocidades de escritura similares a SRAM. Sin embargo, FRAM es una memoria no volátil y no requiere una batería para retener datos cuando el sistema está apagado. Esto significa que FRAM ahorra espacio en la placa, reduce los costos asociados con las baterías y el mantenimiento y minimiza el riesgo de pérdida de datos.