Esta nota de aplicación describe el dispositivo IX6610, un IC de administración de señal/energía que crea un enlace entre una unidad de microcontrolador (MCU) y un controlador de puerta IGBT/MOSFET de alta velocidad aislado, el IX6611.
El IC IX6610 contiene los bloques de circuito necesarios para operar la interfaz bidireccional entre MCU y el controlador. Este dispositivo proporciona la potencia necesaria para impulsar los controladores de compuerta aislados y la MCU desde un solo suministro de +15 V mientras mantiene el aislamiento de alto voltaje entre la MCU y los controladores de compuerta.
descripción general
El dispositivo IX6610 implementa una interfaz de transformador bidireccional de dos canales para controlar dos controladores IGBT inteligentes del lado secundario. Esta interfaz envía comandos de entrada del lado primario desde la MCU al lado secundario y envía fallas de energía y salida del lado secundario a la MCU. La transmisión de datos asíncrona se logra con pulsos estrechos de alta frecuencia para evitar las limitaciones del ciclo de trabajo, reducir las demoras y evitar problemas de saturación del núcleo del transformador. El IC IX6610 contiene todos los bloques necesarios para implementar un convertidor de potencia que proporcione potencia aislada a un controlador IGBT del lado secundario. El IX6610 es un dispositivo del lado primario con enclavamiento incorporado y control de tiempo muerto que se puede conectar directamente a un microcontrolador de bajo voltaje para proporcionar acondicionamiento de la señal de entrada y gestión de fallas.
interfaz
A continuación se muestra una conexión de interfaz típica entre el IX6619 IC y el IX6611 IC.
Se usa una resistencia de derivación Rs para evitar que los devanados del transformador suenen con capacitancia parásita. El timbre puede provocar una activación falsa de las entradas de polaridad inversa. Su valor debe estar en el rango de 20 Ω a 50 Ω. Una matriz de diodos con un voltaje directo bajo forma un pulso positivo solo en la resistencia de carga R1, desde la cual el dispositivo IX6610 lee la información. Los valores recomendados para el rango de resistencia R1 de 50 Ω a 500 Ω para una máxima inmunidad al ruido. La reducción de los valores de las resistencias Rs y R1 no solo mejora la inmunidad al ruido, sino que también aumenta la carga en el devanado primario del transformador.