Power Integrations, líder en circuitos integrados de alto voltaje para la conversión de energía eficiente desde el punto de vista energético, anunció hoy un nuevo miembro de la familia InnoSwitch3 de circuitos integrados de conmutador flyback CV/CC fuera de línea. Los nuevos circuitos integrados presentan eficiencias de hasta el 95 % en el rango de carga completa y hasta 100 W en implementaciones de adaptadores sellados sin necesidad de un disipador térmico. Esta mejora revolucionaria del rendimiento se logra utilizando una tecnología de interruptor GaN de alto voltaje desarrollada internamente.
Power Integrations ha anunciado el InnoSwitch3 IC basado en GaN. (Imagen: Business Wire)
Los CI cuasi-resonantes InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP e InnoSwitch3-Pro combinan circuitos primarios, secundarios y de retroalimentación en un solo paquete de montaje en superficie. En los miembros de la familia recientemente lanzados, los interruptores GaN reemplazan a los transistores de alto voltaje de silicio tradicionales en el lado primario de los circuitos integrados, lo que reduce las pérdidas de conducción cuando fluye la corriente y reduce significativamente las pérdidas de conmutación durante la operación. Esto reduce significativamente el desperdicio de energía y mejora la eficiencia y el suministro de energía del paquete InSOP-24D que ahorra espacio.
Dirigidos a diseños flyback de alta eficiencia, como USB-PD y cargadores/adaptadores de alta corriente para dispositivos móviles, decodificadores, pantallas, electrodomésticos, redes y productos de juegos, los nuevos circuitos integrados proporcionan una fuente de CV/ CC/CP. Fácil de conectar a circuitos integrados de protocolo de carga rápida. Si bien las variantes InnoSwitch3-CP y ‑EP son configurables por hardware, InnoSwitch3-Pro incorpora una interfaz digital sofisticada para el control de software de puntos de ajuste de CV y CC, manejo de excepciones y opciones de modo de seguridad.
Balu Balakrishnan, presidente y director ejecutivo de Power Integrations, comentó: Se espera una rápida conversión de transistores de silicio a GaN en muchas aplicaciones de energía. InnoSwitch3 ha sido el claro líder tecnológico en el mercado de circuitos integrados de conmutación sin conexión desde que lanzó su variante de silicio hace 18 meses, y los nuevos circuitos integrados basados en GaN mejoran tanto la eficiencia como las capacidades de potencia de nuestros productos flyback y amplían aún más nuestra ventaja. ”
Los nuevos circuitos integrados InnoSwitch 3 de Power Integrations ya están disponibles a un precio de $4 en cantidades de 10,000. 5 nuevos Diseño de referencia Las instrucciones para cargadores USB-PD de 60 W a 100 W están disponibles en el sitio web de Power Integrations junto con herramientas de diseño automatizadas. Experto IPy otra documentación de soporte técnico.